10^-8Torrより真空度のよい超高真空中で、独立に温度制御された複数の蒸発源から一定の蒸発速度で金属を蒸発させ、基板上で所定の化学組成になるようにして薄膜を成長する装置。

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メインチャンバーはターボ分子ポンプにより1×10-9Torrまで排気可能で、蒸発源は6基まで設置可能。現在はK-Cell3基、Wヒーター2基が設置されています。その場観察用に反射高速電子回折（RHEED）装置が取り付けられています。基板はランプヒーターにより1000℃まで加熱可能です。