4f系金属間化合物の薄膜化と異方的超伝導の研究

分子線エピタキシー(MBE)法によりCeを含む4f系金属間化合物の薄膜化を行っています。CeCoIn5はクーパー対の対称性がd波的と見られている異方的な超伝導体です。また、低温強磁場下で常磁性効果によるクーパー対の破壊が起こるFFLO状態が実現していることが、熱伝導度測定から確認されている興味深い物質でもあります。CeCoIn5π接合など新規な素子応用への展開が期待される超伝導体でもありますが、これまで薄膜化に成功した報告はまったくありません。私たちのグループではMBE法により超伝導を示す薄膜の作製に成功しており、今後微細加工の手法によりトンネル接合、π接合の作製を行い、基礎的な物性研究と新規素子への展開を推進する予定にしています。

MBE法によりCe、Co、Inの3種類の金属をそれぞれK-Cellから蒸発速度を制御して蒸発させて薄膜を成長させています。